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U盘上SLC,MLC和TLC闪存类型的优点,缺点和差异
日期:2019-04-18
SLC,MLC和TLCX3 TLC芯片技术(每个单元3比特)是MLC和TLC技术的扩展。最古老的NAND闪存技术架构是SLC(单层单元),其原理是在存储器存储单元(单元)中。数据以比特(LevelCell)存储,直到连接MLC技术,并且架构演变成用于存储2比特的存储器存储设备。
2009年,TLC架构正式启动。这表示可以存储3位的存储器存储单元,进一步降低了成本。
就像之前的SLC技术向MLC技术发展的趋势一样,这次它也被东芝的NAND Flash制造商所激活。三星电子也加入了战场,大规模生产所有TLC技术并将其应用于终端产品。
TLC芯片体积大,成本低,但只能用于低端NAND闪存相关产品,如低速闪存卡,小型microSD存储卡,闪存驱动器等。因为性能大幅下降。
例如,液体应用,智能手机,固态硬盘(SSD)集成技术很高。诸如高速和无差错NAND闪存性能等应用应使用SLC或MLC芯片。
2010年NAND闪存市场的主要增长动力是智能手机和平板电脑。两者都需要使用SLC或MLC芯片,因此两个芯片都耗尽了。行业平均价格下跌,市场监管机构iSuppli在2010年第二季度开始报告全球NANDFlash产量。2010年第一季度,41亿美元下降了6美元。
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U MP3光盘上使用的SLC,MLC和TLC闪存芯片之间的差异如下:
SLC =单级单元,即1位/单元,快速和长寿命,昂贵(约为MLC价格的3倍),大约100,000个删除寿命MLC =多级单元,即2位/单元,正常生命速度,价格一般在3000左右---还有一个闪存制造商称为3级单元,8 LC,低速,短寿命,这是10000擦除寿命TLC = 3位/单元,在廉价,橡皮擦的过程中那里有大约500人,没有制造商。